Hot Chemical Gold (Au) ICP Etching

Au may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows Ti/Au/Ti stack cleared down to SiO2 substrate. SiO2 mask intact. Clean substrate

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to Ti: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい

 

物理学会の為、説明員が2人九州大学に行ったのですが、大盛況過ぎて弊社の事業部長の所に列はできてしまうし、もう一人は、お客様を裁く事でいっぱいとなり、写真が撮っている暇が無かったと連絡がありました。 嬉しい悲鳴です。今日は最終日、もしお時間がございましたら、覗いてみてください
11:06 午後 - 16 3 19
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