Tantalum Pentoxide (Ta2O5) ICP Etching

Ta2O5 may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique. Process features include; fluorinated gas based processes and RIE-biased and temperature-controlled wafer electrode.

SEM image shows photonic crystal holes etched in Ta2O5 using ZEP520 mask
 

Process Specification

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to Cr: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい

 

物理学会の為、説明員が2人九州大学に行ったのですが、大盛況過ぎて弊社の事業部長の所に列はできてしまうし、もう一人は、お客様を裁く事でいっぱいとなり、写真が撮っている暇が無かったと連絡がありました。 嬉しい悲鳴です。今日は最終日、もしお時間がございましたら、覗いてみてください
11:06 午後 - 16 3 19
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