Aluminium Oxide (Al2O3) ICP Etching

Al2Oand related films may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows 80° Wall etching in sapphire

 

Process Specification

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380 PlasmaPro133 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to Ni: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch sizes: - - お問い合わせ下さい

 

物理学会の為、説明員が2人九州大学に行ったのですが、大盛況過ぎて弊社の事業部長の所に列はできてしまうし、もう一人は、お客様を裁く事でいっぱいとなり、写真が撮っている暇が無かったと連絡がありました。 嬉しい悲鳴です。今日は最終日、もしお時間がございましたら、覗いてみてください
11:06 午後 - 16 3 19
さらにTweetを見る