Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide (GaAs/AlGaAs) Etching

GaAs/AlGaAs may be dry etched using the following process types:

SEM image shows a typical GaAs/AlGaAs structure

GaAs/AlGaAs RIE

Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide (GaAs/AlGaAs) Reactive Ion Etching

 

GaAs/AlGaAs may be etched using the Reactive Ion Etching (RIE) process.

SEM image shows GaAs-AlGaAs VCSEL structure etched by RIE. Resist mask is still in place

 

  PlasmaPro 100 RIE
Etch rate: お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい
Batch size: お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 or SiN: お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい
 

 

GaAs/AlGaAs ICP Etch

Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide Etching (GaAs/AlGaAs) ICP Etching

 

GaAs/AlGaAs may be etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) Etching process.

SEM image shows typical GaAs/AlGaAs VCSEL structure

 

 

Process Specification

  ICP
  PlasmaPro System133 ICP380 PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch Rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 or SiN: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
  ICP Selective (PlasmaPro 100 ICP180)
Etch rate: お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい
Selectivity to AlGaAs: お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい

*7mm excl zone

物理学会の為、説明員が2人九州大学に行ったのですが、大盛況過ぎて弊社の事業部長の所に列はできてしまうし、もう一人は、お客様を裁く事でいっぱいとなり、写真が撮っている暇が無かったと連絡がありました。 嬉しい悲鳴です。今日は最終日、もしお時間がございましたら、覗いてみてください
11:06 午後 - 16 3 19
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