Tantalum Pentoxide (Ta2O5) Atomic Layer Deposition (ALD)

AlN may be deposited using Atomic Layer Deposition  (ALD).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Process Specification

Precursors: お問い合わせください
Non-metal precursors: お問い合わせください
Temperature range: お問い合わせください
Growth rate per cycle: お問い合わせください
Deposition rate: お問い合わせください
Refractive Index: お問い合わせください
Uniformity: お問い合わせください

 

物理学会の為、説明員が2人九州大学に行ったのですが、大盛況過ぎて弊社の事業部長の所に列はできてしまうし、もう一人は、お客様を裁く事でいっぱいとなり、写真が撮っている暇が無かったと連絡がありました。 嬉しい悲鳴です。今日は最終日、もしお時間がございましたら、覗いてみてください
11:06 午後 - 16 3 19
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