Silicon Dioxide (SiO2) using TEOS

SiO2 may be deposited using TEOS for conformal step coverage.

SEM image shows TEOS PECVD showing 84% conformal step coverage (415nm horizontal, 350nm sidewall) SiO2 on Silicon step structure.

 

Process Specification:

  PECVD ICP CVD
  PlasmaPro 100 PECVD PlasmaPro System133 PECVD PlasmaPro 100 ICP380
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物理学会の為、説明員が2人九州大学に行ったのですが、大盛況過ぎて弊社の事業部長の所に列はできてしまうし、もう一人は、お客様を裁く事でいっぱいとなり、写真が撮っている暇が無かったと連絡がありました。 嬉しい悲鳴です。今日は最終日、もしお時間がございましたら、覗いてみてください
11:06 午後 - 16 3 19
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