Silicon Dioxide (SiO2) using TEOS
SiO2 may be deposited using TEOS for conformal step coverage.
SEM image shows TEOS PECVD showing 84% conformal step coverage (415nm horizontal, 350nm sidewall) SiO2 on Silicon step structure.
Process Specification:
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PECVD |
ICP CVD |
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PlasmaPro 100 PECVD |
PlasmaPro System133 PECVD |
PlasmaPro 100 ICP380 |
Deposition Rate |
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Uniformity |
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Single wafer size |
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Batch size |
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Refractive Index |
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Stress |
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