HBLED市場向けのバッチ生産ソリューション

オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマテクノロジーは、動作中のHBLED生産システムの幅広いインストールベースになっており、15年以上にわたり生産市場で大量のバッチプラズマ・ツールの世界有数のサプライヤーとなっています。

産業が進化し続けるのに伴って、私たちはお客様に、最新の専門知識と技術を提供します。



ウエハーサイズ ウエハー数
  PECVD アンクランプエッチング (GaN,AlGaInP) クランプとHe冷却エッチング(Sapphire)
6 " (150mm) お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください
4 " (100mm) お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください
2 " (50mm) お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください

 

製品の特長

製品の特長

  • エッチングとデポジションツールであるPlasmaPro HBLEDは、HBLEDメーカー向けの優れた利点を提供
  • 業界をリードするウエハーサイズ(batch)から、優れたスループットを与える大型電極サイズ
  • 高品質のデバイス性能と歩留まり
  • 優れた稼働時間の信頼性の高いハードウェアと保守のしやすさ
  • 低ランニングコスト
  • バッチ生産用に最適化されたNGP1000は、オープンロードおよびクラスタ機能オプションとともに、標準として真空ロードロック搭載
  • クリーニングのオーバーヘッドを最小限するシステム設計

PECVDシステム

PlasmaPro NGP1000 PECVDシステム。 SiO2とSiNx層のデポジションのために設計。

  • NGP1000のPECVD法は、特に高輝度LEDの生産にパッシベーション蒸着をするために開発されました。
  • 大面積電極および最適化されたシャワーヘッドの設計は、シングルロードで各種ウエハーサイズ(batch)まで可能

エッチングシステム

PlasmaPro NGP1000エッチングシステム。GaN、AlGaInP、サファイアのエッチングのために設計。

  • 化合物半導体プロセスの20年以上の経験を基に、最適化されたエッチングプロセスは、すべてエッチングアプリケーションのための優れたバッチ処理のスループットを提供します。
  • クロス・バッチ均一性(<+/-5%の歩留まり)を備えた、各種バッチサイズ対応

PlasmaPro NGP1000 Image Gallery

61 x 2" Wafers

61 x 2" Wafers

7x 6" Wafers

7x 6" Wafers

GaN Etch

GaN Etch

GaN Sapphire Substrate

GaN Sapphire Substrate

Sapphire Substrate

Sapphire Substrate

#顕微鏡学会 弊社のランチョンセミナー大盛況でした。 参加して下さった皆様ありがとうございました。 そして、弊社はより良い製品を皆様に届ける事が出来るよう日々研鑽してまいります。 pic.twitter.com/VKk1wf1Llz
5:39 午前 - 29 5 18
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