HBLED市場向けのバッチ生産ソリューション

オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマテクノロジーは、動作中のHBLED生産システムの幅広いインストールベースになっており、15年以上にわたり生産市場で大量のバッチプラズマ・ツールの世界有数のサプライヤーとなっています。

産業が進化し続けるのに伴って、私たちはお客様に、最新の専門知識と技術を提供します。



ウエハーサイズ ウエハー数
  PECVD アンクランプエッチング (GaN,AlGaInP) クランプとHe冷却エッチング(Sapphire)
6 " (150mm) お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください
4 " (100mm) お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください
2 " (50mm) お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください

 

製品の特長

製品の特長

  • エッチングとデポジションツールであるPlasmaPro HBLEDは、HBLEDメーカー向けの優れた利点を提供
  • 業界をリードするウエハーサイズ(batch)から、優れたスループットを与える大型電極サイズ
  • 高品質のデバイス性能と歩留まり
  • 優れた稼働時間の信頼性の高いハードウェアと保守のしやすさ
  • 低ランニングコスト
  • バッチ生産用に最適化されたNGP1000は、オープンロードおよびクラスタ機能オプションとともに、標準として真空ロードロック搭載
  • クリーニングのオーバーヘッドを最小限するシステム設計

PECVDシステム

PlasmaPro NGP1000 PECVDシステム。 SiO2とSiNx層のデポジションのために設計。

  • NGP1000のPECVD法は、特に高輝度LEDの生産にパッシベーション蒸着をするために開発されました。
  • 大面積電極および最適化されたシャワーヘッドの設計は、シングルロードで各種ウエハーサイズ(batch)まで可能

エッチングシステム

PlasmaPro NGP1000エッチングシステム。GaN、AlGaInP、サファイアのエッチングのために設計。

  • 化合物半導体プロセスの20年以上の経験を基に、最適化されたエッチングプロセスは、すべてエッチングアプリケーションのための優れたバッチ処理のスループットを提供します。
  • クロス・バッチ均一性(<+/-5%の歩留まり)を備えた、各種バッチサイズ対応

PlasmaPro NGP1000 Image Gallery

61 x 2" Wafers

61 x 2" Wafers

7x 6" Wafers

7x 6" Wafers

GaN Etch

GaN Etch

GaN Sapphire Substrate

GaN Sapphire Substrate

Sapphire Substrate

Sapphire Substrate