PlasmaPro 100プラズマエッチングおよびデポジションツールを使用した使用可能なプロセスの例:

  • MEMS用クライオSiのエッチング、ボッシュディープシリコンエッチングとSOIプロセス、マイクロ流体工学、フォトニクス
  • 材料の広い範囲(INP、InSb、InGaAsP、GaAs、AlGaAs、GaN、AlGaN等)で、フォトニック、クリスタルや他の多くのアプリケーションを介するレーザファセット用III-Vエッチングプロセス
  • HB LEDは、他のパワー​​デバイス用GaN、AlGaNのためのプリプロダクションとR&Dプロセスなどエッチング
  • フォトニクスアプリケーション用の高品質で高レートSiO2成膜
  • Nb, Wのエッチング

プロセス制御


  • 発光分析(OES)による大型ウエハー面積とバッチプロセスのエンドポインティング
  • OESはエッチングの変化による副産物や反応性ガス種の枯渇を検知
  • チャンバークリーニングエンドポインティングの予測
  • PC4500TMプロセスツールのソフトウェアと統合
  • レーザーエンドポイント検出(LEPD)もブランケットエッチングや場所マスクパターンを許可、または沈着モニタリングのために使用可能。これはエッチングが複雑な小さな構造やウエハーに特に有用
  • レーザー干渉法および/または発光分光法によるエンドポイント検出は、エッチングの制御を強化するためにPlasmaPro System100に取り付けることが可能
  • 各種ガスポッドは、プロセスおよびプロセスガスの柔軟性を提供し、メインプロセスツールから離れた、サービスエリアにリモートで選定可能