Nanofab 800Agile®は、触媒活性化と厳格なプロセス制御とナノチューブやナノワイヤの高性能成長を実現しています。

  • 最大200mmウエハーまでのサンプルサイズ
  • PECVD膜特性
  • 化合物半導体ナノワイヤの有機金属気相成長法(MOCVD)プリカーサ供給
  • 膜応力制御と配向成長
  • 優れた温度均一性と柔軟なプロセスコントロール
  • 高圧高流量のプロセス能力
  • 液体プリカーサ供給システム
  • 独立した試料調整とプロセス操作を提供するための真空ロードロック

製品の特長

Nanofab800Agileプロセスツールの機能

ナノ構造成長に影響を与えるために、追加の磁場や電場の組み込みを行っています。

  • 最大800℃までの温度域によるナノチューブやナノワイヤの制御成長
  • 迅速なターンアラウンドのための素早い加熱と冷却
  • PECVD 及び高温成膜
  • 高温電極

電極の特長

Nanofab800Agile高温電極の特長

  • 最大800℃までの高温機能
  • 速いサイクルタイム:ランプ·レートは最大130℃/分
  • 熱均一性(<±1%)
  • 長寿命耐衝撃性材料
  • 再生可能なサセプター
  • 独立した下部電極の接地
  • メンテナンスのしやすいシンプルデザイン

熱応答

熱応答

  • 弊社技術の主な利点は、高出力密度特性、低熱質量及び耐衝撃性材料の使用です。
  • 加熱用のランプ・レートは、従来の焼結セラミックスが約15℃/分に制限されているのに対し、弊社専用設計のPBNプレートベースヒーターを使用することで、130℃/分と同程度の値が達成できます。

プロセスの利点

Nanofab800Agileシステムプロセスの利点

  • ナノチューブやナノワイヤの制御成長
  • 成長強化のための触媒プラズマ前処理
  • 最大800℃のアニーリング性能
  • 均一性に優れ、高成膜レート及び屈折率等、ストレス、電気的特性及び湿式化学エッチング速度などの膜特性の制御を伴うPECVD成膜
ナノ構造材料 C, Si, Ge, ZnO, Ga2O3, GaN, GaAs, GaP, InP, InN
PECVD膜 SiO2, SiNx, a-Si, SiON, poly-Si, SiC