Ionfab®300Plusは、エッチング/デポジションシステム使用率を最大限運用するための柔軟性を提供しています。

システム仕様は迅速かつ再現性のあるプロセスを可能にし、アプリケーションに密接なチューニングをすることができます。システムは、R&Dから1つのツールでバッチ生産にも適しています。

機能性

イオンビームレンジには複数のモードでの機能があります。

  • イオンビームエッチング(IBE)
  • リアクティブイオンビームエッチング(RIBE)
  • リアクティブイオンビームデポジション(RIBD)
  • ケミカルアシストイオンビームエッチング(CAIBE)
  • イオンビームスパッタデポジション(IBSD)
  • イオンアシストスパッタデポジション(IASD)

基板の取扱い

単一ツールの柔軟性

  • 任意形状をクランプし、独自のキャリアプレートを設計
  • ウエハーハンドリングオプション
  • ロードロック機構
  • バッチ生産のためのカセット式ローディング
  • オックスフォード・インストゥルメンツのプラズマエッチング、デポジションやスパッタリングツール及びFlexAL原子層堆積(ALD)ツールなどの他のプロセスツールとクラスター化が可能
  • アップグレード・オプションは、エッチング及びデポジションを追加

イオン源

イオン源

  • リーディングイオン源及びグリッド技術
  • グリッドは、特定のアプリケーションに合わせて設計されています:高均一、高レート及び低エネルギー
  • 特定デポジショングリッドは、複数のターゲットに合わせて設定され、ターゲット材料を十分に利用できるようになります。
  • エッチングソースオプション
  • 外気にウエハーを曝さずに、デュアルビーム構成(エッチングプラス蒸着源)エッチング直後にキャップ層を追加する可能性を提供します。
  • プラズマラジカル源としてエッチングソースを使用することにより増加した成膜速度(IASD)

プロセス・コントロール

単一ツールの柔軟性

  • 基板ホルダは、設定に応じて傾斜可能
  • "ブレーズ"グレーティングを有効にします。
  • 側壁を洗浄またはエッチングすることができるようになります。
  • 基板の角度制御と優れた成膜均一性を確保できます。

基板回転速度

  • 可変回転速度は、アプリケーションに応じて成膜速度の制御を可能にします。
  • 標準及び高速基板オプション

基板冷却

  • 基板やデバイス構造や既に適所に存在する他の材料の劣化を防ぎます。
  • ヘリウム(ターボポンプ)またはアルゴン(クライオポンプ)を用い、ウエハー裏面を冷却します。

処理監視

  • 多重材料アプリケーション用のSIMSによるエッチングエンドポイントモニタリング
  • 成膜プロセスのモニタリング
  • 液晶モニター(シングルまたはデュアルヘッド)
  • チャンバーガスの識別、分圧の制御とリークをRGAを介してチェックします。

アプリケーション

代表的なアプリケーション

  • IRディテクター
  • CdHgTe(CMT)のエッチング
  • VOXの成膜及びエッチング
  • メタルコンタクト、トラックエッチング
  • 回折格子
  • SiO2の"ブレーズ"エッチング
  • スピントロニクスとMRAM
  • レーザーバーのAR及びHRコーティング
  • テレコムフィルター
  • III-Vフォトニクスエッチング
  • 薄膜磁気ハードディスクヘッド(TFMH)

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Ionfab 300Plus Internal view

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Ionfab 300Plus External view

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Ionfab300Plus Control Panel

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