Silicon Hydrogen Bromide (HBr) based Selective Silicon Etching

Si may be dry etched using HBr based selective silicon etching with the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows 34nm polySi gates stopping on 3nm SiO2

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
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Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to HSQ: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer Size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい