Silicon Germanium (SiGe) Etching

SiGe may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows anisotropic F Etching into a Si / SiGe / Si Heterostructure.Image courtesy of the Ruhr University Bochum Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente

 

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380 PlasmaPro 100 Cobra
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Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
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