Tungsten Silicide (WSi) Etch

WSi may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows Tungsten Silicide (WSi) Etch


 

 

Process Specification

  PlasmaPro NGP80 ICP65 PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
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Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい