Tungsten (W) Etching

W may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows W etch at room temperature 88° profile at 150 nm/ min PR mask (stripped)



Process Specification

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい


オックスフォード・インストゥルメンツが、日本金属学会(千葉工業大学 7号館1階)にて、新製品AZtechLiveやSymmetryをはじめ、EDS/EBSD/WDS製品をブース内で紹介しています。金属材料や金属加工を研究されている… https://t.co/a8L1WBhue0
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