Tungsten (W) Etching

W may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows W etch at room temperature 88° profile at 150 nm/ min PR mask (stripped)

 

 

Process Specification

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい