Hot Chemical Gold (Au) ICP Etching

Au may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows Ti/Au/Ti stack cleared down to SiO2 substrate. SiO2 mask intact. Clean substrate

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to Ti: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい


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