Silicon Carbide (SiC) Etching

The strong bond properties of SiC make it a good choice for both electronic devices and MEMS. It may be dry etched using the following process types:

SEM image shows typical SiC features etched with the metal masked ICP etch process

Silicon Carbide (SiC) ICP Etching

Smooth anisotropic Silicon Carbide (SiC) ICP Etching

SEM shows typical SiC features etched with the metal masked ICP etch process




 

 

Process Specification

  ICP180 (PlasmaPro100) ICP380 (PlasmaPro100)
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Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to Al: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to Ni: - お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
 

 

Silicon Carbide (SiC) RIE

Silicon Carbide (SiC) RIE etching

  PlasmaPro NGP80RIE PlasmaPro 100RIE PlasmaPro 133RIE PlasmaPro 800RIE
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Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい