Germanium Antimony Telluride (GST) Etching

GST (full chemical formula Ge2Sb2Te5) is used as a phase shift memory material. GST and related films may be dry etched with a chlorinated gas based process in the following Inductively Coupled Plasma (ICP) Etch process technique.

SEM image shows GST depth 0.2µm. Profile 74°

 

Results

  PlasmaPro100 ICP65 PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい