Aluminium Oxide (Al2O3) ICP Etching

Al2Oand related films may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique.

SEM image shows 80° Wall etching in sapphire

 

Process Specification

  PlasmaPro100 ICP180 PlasmaPro100 ICP380 PlasmaPro133 ICP380
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Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to Ni: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch sizes: - - お問い合わせ下さい