Indium Phosphide (InP) based materials using ICP Etch

InP may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process technique



SEM image shows 3x3” batch InP wafer etched using ICP CH4/H2 process with Photo resist mask

 

 

Process Specification

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380 PlasmaPro System133 ICP380
Etch Rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 or SiN: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい