Indium Antimonide (InSb) ICP etching

InSb may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process.

 

SEM image shows sloped InSb etch at 0.4 µm/ min with contollable profile selectivity to SiO2 > 5:1

 

 

 

 

Process Specification

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
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Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい