Indium Antimonide (InSb) ICP etching

InSb may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process.


SEM image shows sloped InSb etch at 0.4 µm/ min with contollable profile selectivity to SiO2 > 5:1





Process Specification

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい


10:46 午後 - 26 3 18