Indium Antimonide (InSb) ICP etching

InSb may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process.

 

SEM image shows sloped InSb etch at 0.4 µm/ min with contollable profile selectivity to SiO2 > 5:1

 

 

 

 

Process Specification

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
 

 

オックスフォードは、EDS分析システム「AZtecEnergy」、「INCAEnergy」、WDS分析システム「INCAWave」、EBSD分析システム「AZtecHKL」の計4種類の装置講習会を下記の内容にて開催いたします。2日… https://t.co/B6SWcPMELw
10:46 午後 - 26 3 18
さらにTweetを見る