Gallium Phosphide (GaP) ICP Etching

GaP may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process.





SEM image shows 25µm deep GaP/ InGaAlP/ GaAs etch at ca 2 µm/min



Process Specification

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 mask: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい


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