Gallium Nitride (GaN) Etching

GaN may be dry etched using the following process types:

SEM image shows a typical GaN etch structure

Gallium Nitride (GaN) ICP Etch

Gallium Nitride (GaN) ICP Etching

GaN may be etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) Etching process.

SEM image shows GaN mesa with hard mask still in place

  PlasmaPro System133 ICP380 PlasmaPro 100 ICP180
Etch Rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
 

 

Gallium Nitride (GaN) RIE Etch

Gallium Nitride (GaN) Reactive Ion Etch (RIE)

GaN may be etched using the Reactive Ion Etching (RIE) process.

SEM image shows 8µm deep GaN RIE etch

 

Process Specification

  PlasmaPro System133 RIE PlasmaPro 100 RIE
Etch Rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい