Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide Etching (GaAs/AlGaAs) ICP Etching

 

GaAs/AlGaAs may be etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) Etching process.

SEM image shows typical GaAs/AlGaAs VCSEL structure

 

 

Process Specification

  ICP
  PlasmaPro System133 ICP380 PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch Rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 or SiN: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
  ICP Selective (PlasmaPro 100 ICP180)
Etch rate: お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい
Selectivity to AlGaAs: お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい

*7mm excl zone

#顕微鏡学会 弊社のランチョンセミナー大盛況でした。　参加して下さった皆様ありがとうございました。　そして、弊社はより良い製品を皆様に届ける事が出来るよう日々研鑽してまいります。 pic.twitter.com/VKk1wf1Llz
5:39 午前 - 29 5 18
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