Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide Etching (GaAs/AlGaAs) ICP Etching

 

GaAs/AlGaAs may be etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) Etching process.

SEM image shows typical GaAs/AlGaAs VCSEL structure

 

 

Process Specification

  ICP
  PlasmaPro System133 ICP380 PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch Rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 or SiN: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
  ICP Selective (PlasmaPro 100 ICP180)
Etch rate: お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい
Selectivity to AlGaAs: お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい

*7mm excl zone