Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide (GaAs/AlGaAs) Etching

GaAs/AlGaAs may be dry etched using the following process types:

SEM image shows a typical GaAs/AlGaAs structure

GaAs/AlGaAs RIE

Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide (GaAs/AlGaAs) Reactive Ion Etching

 

GaAs/AlGaAs may be etched using the Reactive Ion Etching (RIE) process.

SEM image shows GaAs-AlGaAs VCSEL structure etched by RIE. Resist mask is still in place

 

  PlasmaPro 100 RIE
Etch rate: お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい
Batch size: お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 or SiN: お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい
 

 

GaAs/AlGaAs ICP Etch

Gallium Arsenide/Aluminium Gallium Arsenide Etching (GaAs/AlGaAs) ICP Etching

 

GaAs/AlGaAs may be etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) Etching process.

SEM image shows typical GaAs/AlGaAs VCSEL structure

 

 

Process Specification

  ICP
  PlasmaPro System133 ICP380 PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch Rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 or SiN: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
  ICP Selective (PlasmaPro 100 ICP180)
Etch rate: お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい
Selectivity to AlGaAs: お問い合わせ下さい
Selectivity to PR: お問い合わせ下さい
Uniformity*: お問い合わせ下さい

*7mm excl zone