Gallium Antimonide (GaSb) ICP Etching

GaSb may be dry etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) process.

 

SEM image shows 7µm deep GaSb etch

 

 

 

Process Specification

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380
Etch rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Selectivity to SiO2 mask お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい