AlGaN/GaN Etching

AlGaN/GaN may be dry etched with either photoresist or hard mask using the following process types:

SEM image shows a typical GaN etch structure

AlGaN/GaN RIE Etching

Aluminium Gallium Nitride/Gallium Nitride (AlGaN/GaN) Reactive Ion Etching (RIE)

AlGaN/GaN may be etched using the Reactive Ion Etching (RIE) process.

SEM image shows GaN mesa with hard mask still in place        

  PlasmaPro System100 RIE PlasmaPro System133 RIE
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AlGaN/GaN ICP Etching

Aluminium Gallium Nitride/Gallium Nitride (AlGaN/GaN) Inductively Coupled Plasma Etching (ICP)

AlGaN/GaN may be etched using the Inductively Coupled Plasma (ICP) Etching process.

SEM image shows hard masked GaN/AlGaN etching in the PlasmaPro 100 ICP180

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro System133 ICP380
Mask: Photoresist Hard mask Photoresist Hard mask
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