Silicon Germanium (SiGe) Deposition

PECVD polycrystalline SiGe by multilayer process  (100 nm amorphous PECVD SiGe seed layer to avoid the long incubation time on SiO2/ CVD SiGe crystallisation seed layer for subsequent low emperature polycrystalline PECVD SiGe growth).

SEM image shows 10 µm thick SiGe showing excellent contact hole filling

オックスフォード・インストゥルメンツが、日本金属学会(千葉工業大学 7号館1階)にて、新製品AZtechLiveやSymmetryをはじめ、EDS/EBSD/WDS製品をブース内で紹介しています。金属材料や金属加工を研究されている…
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