Polysilicon (PolySi) Deposition

Process features

  • Parallel Plate Reactor
  • Shower Head Gas inlet
  • SiH4 based process
  • LPCVD of polycrystalline silicon at 650°C

Process specification


Rate: お問い合わせください
Uniformity: お問い合わせください

XRD and Raman analysis of the as deposited films demonstrate the crystalline nature of the films:

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