Silicon Dioxide (SiO2) using TEOS

SiO2 may be deposited using TEOS for conformal step coverage.

SEM image shows TEOS PECVD showing 84% conformal step coverage (415nm horizontal, 350nm sidewall) SiO2 on Silicon step structure.

 

Process Specification:

  PECVD ICP CVD
  PlasmaPro 100 PECVD PlasmaPro System133 PECVD PlasmaPro 100 ICP380
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