Silicon Dioxide (SiO2) Plasma ALD

AlN may be deposited using Atomic Layer Deposition  (ALD).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Process Specification

Precursors: お問い合わせ下さい
Non-metal precursors: お問い合わせ下さい
Temperature range: お問い合わせ下さい
Growth rate per cycle: お問い合わせ下さい
Deposition rate: お問い合わせ下さい
Refractive Index: お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい