Silicon Nitride (SiN) PECVD 

Silicon Nitride (SiN) Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD)

SiN may be deposited with and without ammonia using Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD).

Process Specification:

  PlasmaPro NGP80 PECVD PlasmaPro 100PECVD PlasmaProSystem133 PECVD PlasmaPro 800Plus PECVD PlasmaPro 1000
Deposition Rate お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Refractive Index お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Stress お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single Wafer Size お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch Size お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
 

 

Silicon Nitride (SiN) ICP CVD 

Silicon Nitride (SiN) ICP CVD

SiN may be deposited using Indictively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition (ICP CVD).

  PlasmaPro 100 ICP180 PlasmaPro 100 ICP380 PlasmaPro 133 ICP380
Deposition rate: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Refractive Index: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Batch size お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
Stress: お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
 

 

Silicon Nitride (SiN) Reactive Ion Beam Deposition (RIBD) 

Silicon Nitride (Si3N4) Reactive Ion Beam Deposition (RIBD) in the Ionfab300Plus or Ionfab300Plus (LC)

Process Features:

  • Etch source available for pre-clean
  • Deposition Gases: Ar, N2

Summary performance data:

Chamber base pressurea <3e-7 Torr
Load lock base pressureb <1e-5 Torr

a. After 12 hours bake out at 80˚C.
b. Load lock pumps down to 6E-5Torr in less than three minutes. It takes less than five minutes from sample loading i.e. from the load lock to process platen with load lock pump down sequence.

Process Specification

Deposition rate1: お問い合わせ下さい
Uniformity over 200mm:2, 3 お問い合わせ下さい
Stress (compressive):3 お問い合わせ下さい
Wafer size: お問い合わせ下さい

 

Silicon Nitride (SiN) Sputter Deposition (PVD) 

Silicon Nitride (SiN) Sputter Deposition

SiN has may be deposited using Physical Vapour Deposition (PVD), also known as Sputter Deposition.

Process Specification

  PlasmaPro System400
Deposition rate: お問い合わせ下さい
Refractive Index: お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい
Single wafer size: お問い合わせ下さい
Batch size: お問い合わせ下さい

 

Silicon Nitride (SiN) Atomic Layer Deposition (ALD) 

Silicon Nitride (SiN) ALD

SiN may be deposited using Atomic Layer Deposition (ALD).

Process Specification

Precursors: お問い合わせ下さい
Non-metal precursors: お問い合わせ下さい
Temperature range: お問い合わせ下さい
Growth rate per cycle: お問い合わせ下さい
Deposition rate: お問い合わせ下さい
Refractive Index: お問い合わせ下さい
Uniformity: お問い合わせ下さい