リアクティブイオンエッチング (RIE)

リアクティブイオンエッチングの主な特長

  • プロセスガスは上部電極にある"シャワーヘッド"のガス注入口を介してプロセスチャンバー内に注入
  • 下部電極上のマイナスのセルフ・バイアス・フォーム
  • 単RFプラズマ源は、イオン密度およびエネルギーの両方を決定
  • 基板は、電極材料のスパッタリング/再デポジションを回避するため、石英またはグラファイトの"カバープレート"を設置
  • 5-500 mTorrの作動圧力

リアクティブイオンエッチングの利点

  • 一般的プラズマエッチングの経済的ソリューション
  • シンプルな操作
  • エッチングプロセスの複数選択:
  • 化学的エッチング - 等方性、高速レート
  • エッチングイオンの誘起 - 異方性、中速レート
  • 物理的エッチング - 異方性、低速レート
  • 半導体およびプロセスの故障解析においての幅広い応用
  • エッチング可能な材料範囲として:
  • 誘電体材料膜(SiO2、SiNxなど)
  • シリコンベースの材料(Si, a-Si, poly-Si)
  • III-V族材料(GaAsやInP系、GaN系など)
  • スパッタ金属(Au, Pt, Ti, Ta, Wなど)
  • ダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)

RIEシステムの特長

リアクティブイオンエッチング(RIE)システムの特長

機能                   PlasmaPro NGP80 RIE PlasmaPro 800Plus RIE PlasmaPro 100 RIE PlasmaPro System133 RIE
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ローディング お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください お問い合わせください
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