誘導結合型プラズマ化学気相蒸着(ICP-CVD)  

主な特長

  • イオンエネルギーとイオン電流密度の独立制御
  • 低圧チャンバーにてのプロセス
  • 高密度プラズマ
  • 基板に近接したプラズマ
  • 成膜中の低エネルギーイオン電流
  • ICPパワーに依存したイオン電流(プラズマ密度)
  • 純粋に誘導プラズマ用のESS(静画面)

ICP CVD法の代表的なアプリケーション:

 

  • リフトオフテクノロジーの低温成膜
  • 高品質のSiO 2低温成膜
  • poly-Siの低温成膜
  • ICPは(2つのRF automatchユニット)が完全に自動化

 

ICP CVDのシステムと特長

機能 PlasmaPro NGP80 ICP CVD65 PlasmaPro System100 ICP CVD180 PlasmaPro System133 ICP CVD380
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