原子層堆積装置(ALD)は、正確に制御された方法で数ナノメートルの超薄膜成膜を可能にする、真のナノテクノロジーです。

原子層堆積装置ALDの特長には2つの定義があります:

  • ALD反応による原子層ごとの堆積
  • 高被覆性コーティング

これらの特性は、半導体工学、MEMSおよび他のナノテクノロジーのアプリケーションにおいて多くの利点を提供しています。

私たちの原子層堆積装置には、ロードロックタイプ:FlexALとオープンロードタイプ:OpALがあります。

ALDの利点


各サイクルにおけるALDプロセスを正確に1原子層として、成膜プロセスを完全に制御し、ナノメートルスケールで得られます。

  • 絶縁保護コーティングは、高アスペクト比、複雑な構造でも達成することができます。
  • ピンホールとパーティクルがフリーな成膜が達成されます。

非常に多種多様な材料の原子層堆積法が可能です:

 

  • Al2O3、HfO2、HfSiO、La2O3、SiO2、STO、Ta2O5、TiO2、ZnOを含む酸化物
  • AlN、HfN、SiNx、TaN、TiNを含む窒化物
  • Cu, Pt, Ru, Wを含む金属

原子層堆積装置(ALD)プロセスサイクル

TMA及びO2プラズマを使用して、Al2O3のALDプロセスサイクル。.

ステップCだけがサーマルプロセス用のH2O あるいはO2 プラズマの間で変わります:
A. TMA chemisorbtion       B. TMA purge                  C. O2 plasma                   D. Short post plasma purge

原子層堆積装置(ALD)アプリケーション

ALDは多くの用途に使用することができます:

  • High-kゲート酸化
  • ストレージキャパシタ誘電体
  • OLED及びポリマーのためのピンホールのないパッシベーション層
  • 結晶シリコン太陽電池のパッシベーション
  • Cuの高アスペクト比拡散バリア膜
  • 接着層
  • 有機半導体
  • マイクロ流体及びMEMSアプリケーション向けの高被覆性コーティング
  • 他のナノテクノロジーとナノエレクトロニクス・アプリケーション
  • ナノポーラス構造のコーティング
  • 燃料電池、触媒層のための、例えば単一の金属コーティング
  • バイオMEMS

リモートプラズマ原子層堆積装置(ALD)

サーマルALDの利点に加えて、リモートプラズマは、高い膜質とプリカーサの幅広い選択を可能にする:

  • プラズマは低温ALDプロセスを可能にし、リモート・ソースは低プラズマダメージを維持
  • 特に低温による - ALDサイクルの間のパージ時間を短縮すること、プリカーサとしての水の必要性を排除
  • 不純物除去され、より低抵抗率でより高密度に改善された高品質膜
  • 水素プラズマを使用することにより効果的な金属膜成膜
  • 化学量論/位相を制御する能力
  • ニュークレーションディレイの減少
  • プラズマ表面処理
  • チャンバーのプラズマ洗浄は、いくつかの材料でできます。

ALD装置(OpAL/FlexAL)の比較

機能 OpAL® FlexAL®
基板 お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
液体プリカーサ(バブリング)&固体プリカーサ 使用可能 使用可能
プリカーサの最大設定温度 お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
迅速なデリバリーシステムを持つMFC制御されたガスライン、
1)サーマルガスのプリカーサ
2)プラズマガス
お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
プラズマソース対応 対応可能 対応可能
ローディング オープンロード ロードロック
他のプロセスモジュールへのクラスタ対応 お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
ウエハステージ温度範囲 お問い合わせ下さい お問い合わせ下さい
エリプソ用ポート 有り 有り
パルスALDバルブ 有り 有り