温度制御は、新しい材料やデバイスにおけるサンプルの特性を慎重に測定するために重要です。
アクティブ温度コントローラなしでの本システム固有の温度安定性が図に示されています。温度の安定性は、8.3+-10μKと測定されました。別の実験では、オーバーバイアスの下で行ったところ、本システムの閉回路制御の性能が向上しました。
20-300mKにおいて10μK以下の性能も達成されております。これは、図(b)に示されており、これは、30Kにおいて、内蔵マグネットで磁場を0から12Tまで0.3T/hで上昇させた際のミキシングチャンバーの温度です。温度の標準偏差は3.5mKで、最大のずれは7mKです。

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