オックスフォード・インストゥルメンツ社は、幅広いアプリケーション向けのプロセスソリューションを提供するリーディングプロバイダーとして、高性能PlasmaPro 100 Polarisエッチング装置を使用してプラズマSiC Viaエッチングプロセスの発売と開発成果を発表しました。

  • SiCは、特に基板としてSiCを使用する高性能GaN 高周波デバイスの分野においてますます重要な材料になってきております。 これらのデバイスを実現するには、SiC基板を貫通するスムーズなViaエッチングが不可欠であり、オックスフォード・インストゥルメンツ社は高品質なSiC Via形状を効率的にエッチングする理想的なソリューションを開発しました。
  • 同じハードウエアにSiCエッチングと低ダメージのGaNエッチングプロセスを組み合わせたPlasmaPro100 Polarisは、GaN高周波デバイスの様々なプラズマエッチングプロセス要求に対して独自の機能を提供しています。
  • オックスフォード・インストゥルメンツ社プラズマテクノロジー事業部のOptoelectronicsプロダクトマネージャであるMark Dineen博士は、SiC Viaアプリケーションに適したいくつかのプロセス機能を提供する最新技術について説明しています。
     

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