PlasmaPro 100 Single Wafer Etch 枚様式エッチングシステム

PlasmaPro 100 Single Wafer Etchは枚葉式エッチング技術の進化をもたらします。

高輝度LED関連材料におけるエッチングの豊富な経験によって、当社の技術はデバイスの性能を最大限引き出すために所有コストの削減と歩留まりアップを可能にします。

システムの特徴と利点

  • プロセス中に基板温度を維持するための電極冷却機構
  • 高密度プラズマを生成するハイパワーICP源
  • イオン制御と均一性保持のための磁性スペーサー
  • 高コンダクタンスなポンプシステム
  • 優れた稼動時間のための信頼性の高いハードウェアと保守メンテナンスのしやすさ

高輝度LED材料に求められる過酷な化学的性質のために特別に設計されたPlasmaPro 100 Single Wafer Etchは、最大200mmウエハーまで対応可能な、高速でしかも均一なエッチングを実現します。また当該システムは、稼動時間と保守メンテナン スのしやすさを考慮して開発されました。

当社独自の静電クランプ技術で以下の基板がクランプ可能

  • Sapphire
  • GaN on Sapphire
  • Si