当社のALD及び二次元材料プロセスのテクニカルスペシャリストチームは、アイントホーフェン工科大学の研究チームと協力して、ナノデバイスアプリケーション用の二次元遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC)の原子層堆積(ALD)を実現しています。

FlexAL2Dシステムは、二次元材料の成長に様々なメリットをもたらします:

二次元材料成長 確立された二次元材料向けALDプロセス モフォロジー制御
  • CMOSデバイス温度への互換性
  • 精密なデジタル厚さ制御
  • 大面積対応(200mmウェーハ)
  • 自己制限型ALD成長
  • MoS2:
    • 酸素&炭素フリー(<2%)
    • 1サイクルあたりの高成長~0.1nm /サイクル
    • 300℃以上の結晶性物質

基底面又はエッジ面方位の制御

  • 1システムで二次元材料上のALD誘電体及び他のALD層の成長
    • 高度な二次元デバイス構造の作成
  • 膜特性制御用RF基板バイアスオプション